特許
J-GLOBAL ID：200903023274358683
3族窒化物系発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-066799
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243074
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】AlまたはAgからなる反射層を有する3族窒化物系発光ダイオードにおいて、ハンダなどから反射層への望ましくない金属成分の拡散が起こることによって反射層の反射率が低下する問題の発生を防止し、その発光輝度の向上を図ることを目的とする。【解決手段】Al反射層またはAg反射層を含む金属反射膜を備え、更に、金属反射膜とは別個に設けられるボンディング電極と、該ボンディング電極と該金属反射膜との間に設けられる、非金属材料からなる保護膜を有する。この保護膜が、ボンディング電極やそれに接合されるハンダからAl反射層またはAg反射層への、望ましくない金属成分の拡散を防止するので、この3族窒化物系発光ダイオードは発光輝度の優れたものとなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層を含む3族窒化物系化合物半導体層と、該3族窒化物系化合物半導体層の一方の主面側に設けられたオーミック電極および金属反射膜とを有し、
該オーミック電極は該3族窒化物系化合物半導体層とオーミック接触しており、
該金属反射膜は該活性層で発生する光を反射する反射面を備えている3族窒化物系発光ダイオードにおいて、
該金属反射膜がAl反射層またはAg反射層を含んでおり、
該金属反射膜の該反射面とは反対側の面上には非金属材料からなる保護膜が形成されており、
該保護膜の上に、該オーミック電極と電気的に接続されたボンディング電極が形成されていることを特徴とする3族窒化物系発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041AA44
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
出願人引用 (1件)
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-342998
出願人：松下電工株式会社
審査官引用 (6件)
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