特許
J-GLOBAL ID：200903046722142255

GaN系発光ダイオードおよび発光装置

発明者：
平岡 晋

平岡 晋 について

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城市 隆秀

城市 隆秀 について

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高野 剛志

高野 剛志 について

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岡川 広明

岡川 広明 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-064665
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253240
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】コンタクト層の上に上部電極と反射膜とを別に設けることによって、上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、GaN系LEDを提供することを目的とする。 【解決手段】GaN系発光ダイオードのコンタクト層15の表面に、金属材料からなる上部電極P12を部分的に形成するとともに、前記上部電極P12が形成されていない部分に、前記上部電極P12と接しないように、金属材料からなる反射膜P13を形成する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともn型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層と、コンタクト層とを、この順に含む半導体積層体と、 前記コンタクト層の表面に部分的に形成された、金属材料からなる上部電極と、 前記コンタクト層の表面の前記上部電極が形成されていない部分に、前記上部電極と接しないように形成された、金属材料からなる反射膜と、 を有するGaN系発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA09
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 発光ダイオード素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055662   出願人：ローム株式会社
  • ビーム放射型半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-336367   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
審査官引用 (11件)
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