微細回路配線形成方法およびこれに用いる装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小野信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-141230
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328184
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】銅めっきで形成される微細な銅配線から、銅原子そのものの移動を鈍化・抑制させ、マイグレーションを防ぐ手段を提供すること。【解決手段】微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅の中に拡散可能な金属を含むめっき(但し、銅との合金めっきを除く)による第1めっき層と、銅めっきによる第2めっき層を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法。

請求項（抜粋）：

微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅の中に拡散可能な金属を含むめっき(但し、銅との合金めっきを除く)による第1めっき層と、銅めっきによる第2めっき層を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法。

IPC (6件)：

C25D 7/12 , C25D 5/10 , C25D 7/00 , H01L 21/288 , H01L 21/3205 , H05K 3/18

FI (7件)：

C25D 7/12 , C25D 5/10 , C25D 7/00 J , H01L 21/288 E , H05K 3/18 G , H01L 21/88 R , H01L 21/88 M

Fターム (78件)：

4K024AA03 , 4K024AA09 , 4K024AA10 , 4K024AA12 , 4K024AA14 , 4K024AB02 , 4K024BA15 , 4K024BB11 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024DA04 , 4K024DB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD63 , 4M104DD75 , 4M104DD79 , 4M104DD83 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 5E343AA23 , 5E343BB17 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB34 , 5E343BB39 , 5E343BB40 , 5E343BB44 , 5E343BB45 , 5E343BB49 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343ER23 , 5E343ER33 , 5E343ER39 , 5E343GG08 , 5E343GG14 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ12 , 5F033JJ15 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ48 , 5F033QQ69 , 5F033QQ73 , 5F033XX05 , 5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-143429
金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-117513 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-006049 出願人：松下電子工業株式会社

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