特許
J-GLOBAL ID：200903023362846434
強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタを具える半導体装置、強誘電体キャパシタの製造方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-024772
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235573
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタの強誘電体膜の側壁に発生するダメージ領域を、強誘電体キャパシタの有効領域外に形成する。【解決手段】主表面aを有する板状部67a、及び主表面上に設けられた、頂面bを有する凸部62bを具える下部電極膜67を形成する。この凸部の周囲の、板状部の主表面aを覆い、かつその表面が頂面bと実質的に同一面位置となる厚みで常誘電体膜68を形成する。露出している頂面b上から、常誘電体膜上のうち、板状部の主表面aと常誘電体膜を介して対向する領域に亘って、強誘電体膜69を形成する。この強誘電体膜上のうち、頂面bと対向する領域から、板状部の主表面aと常誘電体膜及び強誘電体膜を介して対向する領域に亘って、上部電極膜61を形成する。強誘電体膜に対しエッチングを行って、強誘電体膜のうち、凸部の上側部分と、常誘電体膜と接触しかつ当該上側部分を所定幅で取り囲む部分とを残存させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
主表面を有する板状部、及び該主表面上に設けられた、頂面を有する凸部を具える下部電極膜を形成する下部電極膜形成工程と、
前記凸部の周囲の、前記板状部の主表面を覆い、かつその表面が前記頂面と実質的に同一面位置となる厚みで常誘電体膜を形成する常誘電体膜形成工程と、
露出している前記頂面上から、前記常誘電体膜上のうち、前記板状部の主表面と前記常誘電体膜を介して対向する領域に亘って、強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成工程と、
前記強誘電体膜上のうち、前記頂面と対向する領域から、前記板状部の主表面と前記常誘電体膜及び前記強誘電体膜を介して対向する領域に亘って、上部電極膜を形成する上部電極膜形成工程と、
前記強誘電体膜に対しエッチングを行って、前記強誘電体膜のうち、前記凸部の上側部分と、前記常誘電体膜と接触しかつ該上側部分を所定幅で取り囲む部分とを残存させるエッチング工程と
を含むことを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F083FR02
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA08
, 5F083PR34
, 5F083PR39
, 5F083PR40
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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