特許
J-GLOBAL ID：200903066100199528

微細構造体の乾燥方法および該方法により得られる微細構造体

発明者：
川上 信之

川上 信之 について

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鈴木 康平

鈴木 康平 について

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飯島 勝之

飯島 勝之 について

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田中 丈晴

田中 丈晴 について

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長瀬 佳之

長瀬 佳之 について

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増田 薫

増田 薫 について


出願人/特許権者：
株式会社神戸製鋼所

株式会社神戸製鋼所 について


代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120292
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243352
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 液化または超臨界二酸化炭素で現像後の半導体基板等の微細構造体を乾燥するに当たり、パターンの膨潤のない乾燥方法を提供する。【解決手段】 微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で乾燥する方法であって、微細構造体表面がフルオロカーボン系溶媒で覆われた状態で、該微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素と接触させて乾燥する。
請求項（抜粋）：
微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で乾燥する方法であって、微細構造体表面をフルオロカーボン系溶媒で覆う工程と、微細構造体表面をフルオロカーボン系溶媒で覆った状態で、該微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素と接触させる工程とを含むことを特徴とする微細構造体の乾燥方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L 21/304 651 Z ,  H01L 21/30 569 F
Fターム (1件)：
5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (13件)
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