特許
J-GLOBAL ID:200903023373506350
半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-322014
公開番号(公開出願番号):特開2007-180527
出願日: 2006年11月29日
公開日(公表日): 2007年07月12日
要約:
【課題】生産性を低下させずに、摩擦熱の影響を抑制した半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置を提供する。【解決手段】 半導体ブロック11を切断するワイヤー13を該ワイヤー13の長手方向に沿って走行させつつ、前記半導体ブロック11を前記ワイヤー13に相対的に押圧し切断する工程を備えた半導体基板の製造方法であって、前記半導体ブロック11の1個あたりから得られる前記半導体基板の1枚当たりの平均面積をS、前記1個の半導体ブロック11から得られる前記半導体基板の枚数をN1、前記ワイヤー13上に配設される前記半導体ブロック11の本数をN2、前記ワイヤー全長をL、としたときに、S×2×(N1-1)×N2/Lで定義されるワイヤー13の単位長さ当りの切断面積が150cm2/m以上450cm2/m以下とした。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体ブロックを切断するワイヤーと、前記半導体ブロックとを準備する第1工程と、
このワイヤーを該ワイヤーの長手方向に沿って走行させる第2工程と、
前記半導体ブロックを前記ワイヤーに相対的に押圧し、該押圧力で前記半導体ブロックを切断して半導体基板を得る第3工程と、を備えた半導体基板の製造方法であって、
前記半導体ブロック1個あたりから得られる前記半導体基板の1枚当たりの平均面積をS、前記1個の半導体ブロックから得られる前記半導体基板の枚数をN1、前記ワイヤー上に配設される前記半導体ブロックの本数をN2、前記ワイヤー全長をL、としたときに、
S×2×(N1-1)×N2/Lで定義されるワイヤーの単位長さ当りの切断面積が150cm2/m以上450cm2/m以下とした半導体基板の製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/304
, B24B 27/06
, B24B 55/06
, B28D 5/04
FI (6件):
H01L21/304 611W
, B24B27/06 F
, B24B27/06 S
, B24B27/06 H
, B24B55/06
, B28D5/04 C
Fターム (15件):
3C047FF06
, 3C047HH11
, 3C058AA05
, 3C058AA09
, 3C058AC05
, 3C058CA01
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA03
, 3C069AA01
, 3C069BA06
, 3C069BB01
, 3C069BC02
, 3C069CA05
, 3C069EA02
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
ワイヤソーの切断方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-319018
出願人:株式会社東京精密
審査官引用 (7件)
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