特許
J-GLOBAL ID：200903023476008374

酸化物超電導材料の製造方法

発明者：
木村 圭一

木村 圭一 について

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森田 充

森田 充 について

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渡辺 和雄

渡辺 和雄 について

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淡路 智

淡路 智 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051122
公開番号（公開出願番号）：特開平10-231197
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【目的】本発明は、配向性が高く臨界電流密度が高い希土類型超伝導バルク材料を提供する。【構成】希土類イオンを置換した種結晶を用いた溶融配向法プロセスを磁場中でおこなわせる。製造する希土類型超伝導バルク材料の希土類イオンの種類により、接触させる種結晶の面と磁場の方向が限定される。【効果】高度に配向し、臨界電流密度が高い希土類系酸化物超電導バルク材料とその方法を提供する。
請求項（抜粋）：
RE1 Ba2 Cu3 Ox 系超電導体の原料成形体をこの包晶温度以上に加熱し、部分溶融した後に冷却してRE1 Ba2 Cu3 Ox を生成させる製造方法において、これよりも高い包晶温度を有するRE元素を置換したRE2 Ba2 Cu3 Ox のab面をRE1 Ba2 Cu3 Ox の溶融体に接触させ、かつab面に垂直な方向に4テスラ以上の磁場を印加しながら冷却し、RE1 Ba2 Cu3 Ox を生成させることを特徴とするRE1 Ba2 Cu3 Ox 系超電導材料の製造方法。ここで、RE1 はY、Eu、Sm、Nd、Pmからなる群から選ばれた1種以上の元素を主とする元素であり、RE2はY、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素をさす。
IPC (6件)：
C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 9/06 ,  C30B 17/00 ,  H01B 13/00 565
FI (6件)：
C30B 29/22 501 B ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 9/06 ,  C30B 17/00 ,  H01B 13/00 565 D
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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