特許
J-GLOBAL ID：200903023664459022
半導体装置の製造方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217992
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054557
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 優れた耐久強度を有し、確実な電気的接続を保証する半導体装置の製造方法および装置を提供する。【解決手段】 一方のチップ電極2と他方の基板もしくはチップ電極12を電気的に接続する。一方の電極2と他方の電極12の間に少なくとも2個の微小ボールBを重ねて接合し、チップ電極2と基板もしくはチップ電極12を電気的に接続する。一方のチップ電極2と他方の基板もしくはチップ電極12に微小ボールBを接合し、一方の電極2側の微小ボールBと他方の電極12側の微小ボールBを相互に接合する。電極間隔を長くすることにより、熱応力に対する高い緩和吸収性を備えることで半導体チップの保護に優れた作用を発揮する。疲労破壊に対して優れた耐久性と熱膨張に対して高い接着強度を確保することができる。
請求項（抜粋）：
一方のチップ電極と他方の基板もしくはチップ電極を電気的に接続する接続構造を有する半導体装置の製造方法において、一方の電極と他方の電極の間に少なくとも2個の微小ボールを重ねて接合し、前記チップ電極と前記基板もしくはチップ電極を電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 H
