ポジ型レジスト組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324003
公開番号（公開出願番号）：特開2003-207898
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好な真空中PED特性を同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)アルカリ水溶液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるポリマー、(B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、(C)活性光線又は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物、及び、(D)4級アンモニウム塩化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)アルカリ水溶液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となるポリマー、(B)活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物、(C)活性光線又は放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物、及び、(D)4級アンモニウム塩化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (8件)：

G03F 7/039 601 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F222/34 , C08F222/40 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 7/039 601 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F222/34 , C08F222/40 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (42件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AA20R , 4J100AB02P , 4J100AB02R , 4J100AB07P , 4J100AB07Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL34Q , 4J100AM10R , 4J100AM45R , 4J100AM49Q , 4J100AM49R , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC43P , 4J100BC43Q , 4J100BC43R , 4J100BC53P , 4J100BC53Q

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平4-219757号公報
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-127659 出願人：富士通株式会社
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100310 出願人：株式会社東芝

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