特許
J-GLOBAL ID：200903023687278858
イオン注入方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-047304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260180
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】複数のドーピング濃度レベルを単一のイオン打ち込み工程において可能にするイオン注入方法を提供する。【解決手段】半導体基板12は、その表面上にマスク14を有する。マスク14は、マスキング部材を有しない第1の領域22と、複数のマスキング部材14B〜14Eを有する第2の領域20とを含む。複数のマスキング部材14B〜14Eの各々が、第1の距離に等しい寸法を有しており、前記第1の距離は、ドーパントの拡散距離の2倍に満たない。このような半導体基板12とマスキング部材14A〜14Fに、ドーパントのイオンを打ち込む。イオンは、前記第1の領域22において第1の不純物濃度を形成するとともに前記第2の領域20において第2の不純物濃度を形成する。【選択図】図2D
請求項（抜粋）：
半導体基板であって、その表面上にマスクを有し、前記マスクが、マスキング部材を有しない第1の領域と複数のマスキング部材を有する第2の領域とを含んでおり、前記複数のマスキング部材の各々が、第1の距離に等しい寸法を有しており、前記第1の距離が、ドーパントの拡散距離の2倍に満たない半導体基板を提供して、
前記半導体基板とマスキング部材に、ドーパントのイオンであって、前記第1の領域において第1の不純物濃度を形成するとともに前記第2の領域において第2の不純物濃度を形成するイオンを打ち込むことを特徴とするイオン打ち込み方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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