特許
J-GLOBAL ID：200903023806503830

半導体装置

発明者：
芳我 基治

芳我 基治 について

, 
糟谷 泰正

糟谷 泰正 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272126
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091714
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】半導体チップからの発熱を、外部に効率よく放熱することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、絶縁性樹脂からなる絶縁性基板5を備えている。絶縁性基板5の一方面5Aには、熱伝導性を有する金属材料からなるアイランド6が形成されている。アイランド6には、半導体チップ3の裏面が接合される。一方、絶縁性基板5の他方面5Bには、アイランド6と同じ金属材料からなるサーマルパッド9が形成されている。また、絶縁性基板5には、アイランド6とサーマルパッド9との間において、それらを熱伝導可能に接続するためのサーマルビア11が貫通して形成されている。そして、絶縁性基板5の他方面5Bには、放熱用開口部21を有するソルダレジスト18が形成されており、サーマルパッド9は、放熱用開口部21から露出している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
樹脂製の基板と、 前記基板の一方面上に形成されるアイランドと、 前記アイランド上にダイボンディングされる半導体チップと、 前記基板の前記一方面上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続される内部端子と、 前記基板の前記一方面と反対側の他方面上に形成され、前記内部端子と対向配置される外部端子と、 前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記内部端子と前記外部端子とを導通可能に接続する端子間接続ビアと、 前記基板の前記他方面上に形成され、前記アイランドと対向配置されるサーマルパッドと、 前記基板の前記一方面と前記他方面との間を貫通して形成され、前記アイランドと前記サーマルパッドとを熱伝導可能に接続する熱伝導部と、 前記基板の前記他方面上に形成され、前記サーマルパッドの外周との間に隙間が形成されるように開口する放熱用開口部と、前記外部端子を露出させるように開口する端子用開口部とを有するソルダレジストとを備えることを特徴とする、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/36
FI (3件)：
H01L23/12 J ,  H01L23/12 501W ,  H01L23/36 C
Fターム (1件)：
5F136BB02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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