特許
J-GLOBAL ID：200903023812337594

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
秋田 勝史

秋田 勝史 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-171301
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093988
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 発光効率の向上が図られた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る発光ダイオード1の製造方法においては、GaN基板10は、この上に形成したAlGaN層16,18,20から分離されて、AlGaN層16,18,20にはCu-W合金基板26が接着された状態となる。このように、AlGaNの格子定数と近い格子定数を有するGaN基板10上に、内部にAlGaN発光層18を含むAlGaN層16,18,20を形成することで、サファイア基板を利用する従来の方法に比べて、AlGaN層16,18,20の内部に導入される貫通転位密度が大幅に低減される。すなわち、本発明に係る発光ダイオード1の製造方法によれば、発光効率が向上した発光ダイオード1を作製することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN基板上に、発光層を内部に含むGaN系半導体層を形成するステップと、 前記GaN系半導体層上に、電極膜を形成するステップと、 前記電極膜の表面に、導電性基板を導電性接着剤を用いて接着するステップと、 前記GaN基板を、前記GaN系半導体層から分離するステップとを有する、半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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