表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-301072
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114718
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング/アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)を加水分解、縮合して得られる化合物、(B)有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。Si(R1)3R2 一般式(1)〔式中、R1はアルコキシ基を示し、R2はアルキル基、ビニル基、アリル基、フェニル基または水素原子を示す。〕Si(R1)2(R2)2 一般式(2)(式中、R1はアルコキシ基を示し、R2はアルキル基、ビニル基、アリル基、フェニル基または水素原子を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)を加水分解、縮合して得られる化合物、(B)有機溶媒とを含む表面疎水化用組成物。 Si(R1)3R2 一般式(1) 〔式中、R1はアルコキシ基を示し、R2はアルキル基、ビニル基、アリル基、フェニル基または水素原子を示す。〕 Si(R1)2(R2)2 一般式(2) (式中、R1はアルコキシ基を示し、R2はアルキル基、ビニル基、アリル基、フェニル基または水素原子を示す。)

IPC (2件)：

H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L21/312 C , H01L21/90 A

Fターム (27件)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033MM02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ74 , 5F033QQ85 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033VV16 , 5F033WW04 , 5F033XX24 , 5F058AA04 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第US6383466号明細書
米国特許第US5504042号明細書
米国特許第US6548113号明細書

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審査官引用 (6件)

疎水性多孔質SOG膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-062879 出願人：株式会社アルバック
膜形成用組成物及びその製造方法、並びに多孔質膜の形成方法及び多孔質膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-006614 出願人：信越化学工業株式会社
誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-505668 出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

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