特許
J-GLOBAL ID：200903023955464929
導体回路基板の検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295837
公開番号（公開出願番号）：特開平11-133088
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 微細化されたパターンを有するものや多層配線基板においても的確に検査を行うことができる。【解決手段】 導体回路基板のパターン3の一部にプラズマジェットを照射するとともにパターンの他部での物理的変化をセンサー2で捕らえて、該センサー2の出力からパターンの良否を判別する。特定パターンに対してピンポイントで影響を与えることができるとともにピンポイントでその影響を測定することができる。
請求項（抜粋）：
導体回路基板のパターンの一部にプラズマジェットを照射するとともにパターンの他部での物理的変化をセンサーで捕らえて、該センサーの出力からパターンの良否を判別することを特徴とする導体回路基板の検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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