特許
J-GLOBAL ID：200903024027882090

フェムト秒レーザー照射による周期微細構造の作成方法

発明者：
細野 秀雄

細野 秀雄 について

, 
河村 賢一

河村 賢一 について

, 
平野 正浩

平野 正浩 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248433
公開番号（公開出願番号）：特開2003-057422
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】 リソグラフィー法による量子ワイヤーまたは量子ドットの作成法は、プロセスが複雑であり、さらに微細構造の特性がエッチングに支配されるため、微細構造の最小寸法、形状、材料の種類などに制約がある。また、結晶膜成長プロセスでの島状成長を利用した方法は、ドットの周期性の制御、材料の組み合わせに制約がある。さらに、レーザー光干渉露光法では、二次元周期構造の実現が困難であり、またナノスケール微細加工が実現されていなかった。【構成】 互いに干渉したフェムト秒レーザーパルスを、基材に照射することにより、最小平均寸法5〜200nmを有する周期微細構造を基材中に作成することを特徴とするフェムト秒レーザー照射による一次元及び/または二次元周期微細構造の作成方法。
請求項（抜粋）：
互いに干渉したフェムト秒レーザーパルスを、基材に照射することにより、最小平均寸法5〜200nmを有する周期微細構造を基材中に作成することを特徴とするフェムト秒レーザー照射による一次元及び/または二次元周期微細構造の作成方法。
IPC (5件)：
G02B 5/18 ,  C03C 23/00 ,  G02F 1/35 ,  H01L 21/302 ,  H01S 3/00
FI (5件)：
G02B 5/18 ,  C03C 23/00 D ,  G02F 1/35 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 21/302 Z
Fターム (30件)：
2H049AA03 ,  2H049AA25 ,  2H049AA34 ,  2H049AA44 ,  2H049AA45 ,  2H049AA55 ,  2H049AA58 ,  2K002AA04 ,  2K002AB40 ,  2K002BA02 ,  2K002FA19 ,  2K002HA16 ,  2K002HA26 ,  4G059AA11 ,  4G059AB05 ,  4G059AC01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB13 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004EA38 ,  5F004EA40 ,  5F004EB06 ,  5F072JJ20 ,  5F072SS08 ,  5F072YY06
引用特許：
審査官引用 (8件)
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