特許
J-GLOBAL ID：200903024106748723

半導体装置の製造方法

発明者：
生田目 俊秀

生田目 俊秀 について

, 
門島 勝

門島 勝 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-043110
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236020
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 ゲート絶縁膜として高誘電率膜を使用した場合に、高誘電率膜中に存在する残留不純物を比較的低い温度で充分に除去することができる技術を提供する。【解決手段】 酸化ハフニウム膜よりなるゲート絶縁膜5上に、プラチナ膜6を形成する。その後、酸素ガス7の雰囲気中で約400°Cの熱処理を行う。このとき、酸素ガス7がプラチナ膜6に接触すると、プラチナ膜6の触媒作用により、酸素ガス7はより反応性豊かな酸素原子7a、7bに解離する。解離した酸素原子7a、7bは、プラチナ膜6を介してゲート絶縁膜5に導入される。導入された酸素原子7a、7bは、酸化ハフニウム膜中に存在する残留不純物と反応し、この反応で生成された反応生成物がプラチナ膜6の粒界を通って外部に放出される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上に酸化シリコン膜より誘電率の高いゲート絶縁膜を形成する工程と、 (b)前記ゲート絶縁膜上に酸素ガスを酸素原子に解離するための触媒となる物質を形成する工程と、 (c)前記(b)工程後、前記酸素ガスを含む雰囲気中で前記ゲート絶縁膜を熱処理することにより、前記酸素ガスを前記酸素原子に解離し、解離した前記酸素原子と前記ゲート絶縁膜中にある残留不純物を反応させて、前記残留不純物を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L29/78 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (8件)：
H01L29/78 301G ,  C23C14/06 N ,  C23C14/58 A ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/316 P ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G
Fターム (107件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BB02 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA01 ,  4K030DA09 ,  4K030HA01 ,  4K030HA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD21 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD83 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE06 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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