ウェハ加熱装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：青山葆 , 河宮治 , 石井久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211286
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045249
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】ウェハ加熱装置のウェハ載置離脱用のウェハリフトピンを挿通する均熱板の貫通孔部分において温度がばらつき、ウェハ熱処理時のウェハ表面温度が均一とならない。【解決手段】上部主面をウェハの戴置面とするセラミック基板と該セラミック基板の内部もしくは下部主面に配置した発熱体とから成る均熱板と、均熱板を貫通する貫通孔を挿通してウェハを昇降させるリフトピンと、前記ウェハリフトピンを挿通して案内するガイド孔を備えたガイド部材と、を含むウェハ加熱装置であって、ガイド部材が、貫通孔とガイド孔とを連通するようにガイド部材の上端面を均熱板の下部主面に接触させて配置され、ガイド部材の上端面の形状が肉厚0.1〜3.0mmの環状であり、上記ガイド部材がセラミックス基板の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有することにより、均熱板からガイド部材への熱伝導を軽減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上部主面をウェハの戴置面とするセラミック基板と該セラミック基板の内部もしくは下部主面に配置した発熱体とから成る均熱板と、均熱板を貫通する貫通孔を挿通してウェハを昇降させるリフトピンと、前記ウェハリフトピンを挿通して案内するガイド孔を備えたガイド部材と、を含むウェハ加熱装置であって、ガイド部材が、貫通孔とガイド孔とを連通するようにガイド部材の上端面を均熱板の下部主面に接触させて配置され、ガイド部材の上端面の形状が肉厚0.1〜3.0mmの環状であり、上記ガイド部材がセラミック基板の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有するウェハ加熱装置。

IPC (4件)：

H01L21/027 , H05B3/06 , H05B3/20 , H05B3/74

FI (4件)：

H01L21/30 567 , H05B3/06 B , H05B3/20 328 , H05B3/74

Fターム (22件)：

3K034AA02 , 3K034AA21 , 3K034AA34 , 3K034BB06 , 3K034BB14 , 3K034BC12 , 3K034BC17 , 3K034BC29 , 3K034JA02 , 3K092PP20 , 3K092QA05 , 3K092QB43 , 3K092QB44 , 3K092RF03 , 3K092RF11 , 3K092RF17 , 3K092RF22 , 3K092RF27 , 3K092SS11 , 3K092VV22 , 5F046KA04 , 5F046KA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

ホットプレートユニット
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-225335 出願人：イビデン株式会社

審査官引用 (6件)

ホットプレートユニット
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-305175 出願人：イビデン株式会社
ホットプレートユニット
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-131209 出願人：イビデン株式会社
熱交換プレートの支持構造、及び熱交換プレートの温度分布解消構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-201014 出願人：株式会社小松製作所

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