特許
J-GLOBAL ID：200903024171657115

位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法

発明者：
中尾 修治

中尾 修治 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-039582
公開番号（公開出願番号）：特開2004-251969
出願日： 2003年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】集積度を低下させることなく、かつ低コストで、寸法均一性に優れたパターンを形成できる位相シフトマスク、その位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の位相シフトマスクは、基板1上に形成され、かつ基板1の一部表面を露出する開口部2aを有するハーフトーン遮光膜2を有している。ハーフトーン遮光膜2を透過した露光光の位相は開口部2aを透過した露光光の位相と180°異なる。開口部2aを透過した露光光の光強度に対するハーフトーン遮光膜2を透過した露光光の光強度の比により定義される光透過率が15%以上25%以下である。開口部2aの寸法が、露光光の波長λ/開口数NAを1とした計測で0.26以上0.45以下である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
露光光を透過する材質よりなる基板と、 前記基板上に形成され、かつ前記基板の一部表面を露出する開口部を有するハーフトーン遮光膜とを備え、 前記ハーフトーン遮光膜を透過した露光光の位相が前記開口部を透過した露光光の位相と異なり、 前記開口部を透過した露光光の光強度に対する前記ハーフトーン遮光膜を透過した露光光の光強度の比により定義される光透過率が15%以上25%以下であり、 前記開口部の寸法が、露光光の波長λ/開口数NAを1とした計測で0.26以上0.45以下である、位相シフトマスク。
IPC (3件)：
G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F1/08 D ,  G03F1/08 C ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P
Fターム (7件)：
2H095BA01 ,  2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  2H095BB32 ,  2H095BB36
引用特許：
審査官引用 (5件)
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