特許
J-GLOBAL ID：200903022770419432
露光方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤元 亮輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126777
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324743
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 微細な(例えば、0.15μm以下の)線幅を持ち、各種パターンや、L&Sパターンから孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装置を提供する。【解決手段】 所望のパターンと、当該パターンに重ねられた周期性のあるダミーのパターンとを有する位相シフトマスクを、前記所望のパターンのうち前記ダミーのパターンの効果で解像させるべき部分を前記ダミーのパターンの線幅よりも太くすることによって形成し、光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光を利用して前記位相シフトマスクを照明し、前記位相シフトマスクを経た光を被露光面に投影光学系を介して投影することによって、前記所望のパターンを前記被露光面に転写することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
所望のパターンと、当該パターンに重ねられた周期性のあるダミーのパターンとを有する位相シフトマスクを、前記所望のパターンのうち前記ダミーのパターンの効果で解像させるべき部分を前記ダミーのパターンの線幅よりも太くすることによって形成し、光軸近傍に強度分布のピークを有する照明光を利用して前記位相シフトマスクを照明し、前記位相シフトマスクを経た光を被露光面に投影光学系を介して投影することによって、前記所望のパターンを前記被露光面に転写することを特徴とする露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20 521
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 B
, G03F 1/08 D
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 528
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 C
, H01L 21/30 515 D
2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB12
, 2H095BB36
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CB17
, 5F046CB23
, 5F046DA01
