特許
J-GLOBAL ID：200903042180798668

半導体装置のパターン形成方法、フォトマスクのパターン設計方法、フォトマスクの製造方法およびフォトマスク

発明者：
中尾 修治

中尾 修治 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-255681
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075823
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 補助パターン法や位相シフトマスクなどを用いずとも微細パターンの形成が可能で、かつマスクの欠陥検査を容易とする。【解決手段】 基板1の表面に遮光膜2が形成されており、この遮光膜2には、2本組の光透過用開口パターン2aが実質的に同一の線幅で互いに間隔を持って並走し、かつ他の光透過用開口パターン2aから孤立するように形成されている。このフォトマスク5を用いてフォトレジストを露光する際の露光量(十分大きい開口パターンへの露光エネルギ)は、露光によりフォトレジストが現像液に対して溶解性から不溶解性になる境界の露光量または不溶解性から溶解性になる境界の露光量の4倍以上20倍以下である。
請求項（抜粋）：
実質的に同一の線幅で互いに間隔を持って並走しかつ他の光透過用開口パターンから孤立した2本組の光透過用開口パターンを有する第1のフォトマスクを介して投影露光法によりウエハ表面の第1のフォトレジストを露光する第1の露光工程を備え、前記第1のフォトレジストを露光する際の、十分大きいマスク開口を持つパターンに与えられるエネルギで定義される露光量は、露光により前記第1のフォトレジストが現像液に対して溶解性から不溶解性になる露光エネルギまたは不溶解性から溶解性になる露光エネルギの4倍以上20倍以下である、半導体装置のパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 D ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (7件)：
2H095BB01 ,  2H095BB03 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046DA02 ,  5F046DA12
引用特許：
審査官引用 (8件)
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