二次元画像検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165136
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111019
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】屋根型構造のアクティブマトリクス基板上に、光導電性を有する半導体層を積層した二次元画像検出器において、画素領域周辺部に露出した絶縁層の材料劣化を防ぎ、信頼性を向上させる。【解決手段】アクティブマトリクス基板1は、ゲート電極および蓄積容量電極(Cs電極)が形成されたガラス基板4上に設けられたゲート絶縁膜5と、該ゲート絶縁膜5上に順に形成された第1の絶縁保護膜6および第2の絶縁保護膜7と、該第2の絶縁保護膜7上にマトリクス状に形成される複数の画素電極8とを備えている。アクリル樹脂からなる上記第2の絶縁保護膜7の端部は、上記光導電膜2により完全に覆われている。

請求項（抜粋）：

格子状に配列された電極配線、各格子点毎に設けられたスイッチング素子、および該スイッチング素子を介して上記電極配線に接続される電荷蓄積容量上に、絶縁層を介して画素電極が配置されているアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板上に設けられた光導電性を有する半導体層と、上記絶縁層の端部を覆うように設けられた保護膜とを備えたことを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (4件)：

H01L 27/14 , H01L 27/146 , H01L 29/786 , H01L 31/0248

FI (4件)：

H01L 27/14 K , H01L 27/14 C , H01L 29/78 619 A , H01L 31/08 H

Fターム (70件)：

4M118AA08 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA15 , 4M118CA34 , 4M118CB20 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118GA10 , 4M118GB03 , 4M118GB06 , 4M118GB11 , 4M118HA02 , 4M118HA09 , 4M118HA26 , 5F088AA11 , 5F088AB05 , 5F088BA11 , 5F088BA13 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088HA11 , 5F088LA03 , 5F088LA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (8件)

撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-226720 出願人：株式会社東芝
固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-090579 出願人：日本電気株式会社
固体撮像素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-184016 出願人：三洋電機株式会社

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