特許
J-GLOBAL ID：200903024277939780
半導体チップ実装用回路基板とその製造方法および半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-013614
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218273
出願日： 2002年01月23日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 接続信頼性に優れ、高密度化が可能な半導体チップ実装用回路基板とその製造方法および高密度化および薄型化が可能な半導体モジュールを提案すること。【解決手段】 半導体チップ実装用基板2は、絶縁性樹脂基材5の一面側に形成された、半導体チップ3を実装する第1の導電性バンプ12と、その第1の導電性バンプ12から絶縁性樹脂基材5の周辺部に向けて延設された配線パターン15と、絶縁性樹脂基材5の他面側から配線パターン15に達する充填バイアホール9と、その充填バイアホール9の真上に位置して電気的接続される第2の導電性バンプ13または導体パッド19とから構成される。半導体モジュール1は、第1の導電性バンプ12上に半導体チップ3を搭載した実装用基板2と、半導体チップ3を収納する開口部27を有し、実装用基板2の第2の導電性バンプ13に接続される導体ポスト26とを有する層間部材20とを、接着剤を介して交互に積層し、最外層にI/O配線基板30を配置させて、その積層体を加熱プレスして一体化して形成する。
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性樹脂基材の一面側には、そのほぼ中央部において半導体チップを実装する第1の導電性バンプが形成され、その第1の導電性バンプから絶縁性樹脂基材の周辺部に向けて配線パターンが延設され、前記絶縁性樹脂基材の他面側には、前記配線パターンに達する開口内に充填された導電性物質を含んでなるバイアホールが設けられるとともに、そのバイアホールに電気的に接続された接続用の第2の導電性バンプが、バイアホールの真上に位置して設けられていることを特徴とする半導体チップ実装用回路基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 501
, H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
H01L 23/12 501 B
, H01L 25/14 Z
