半導体光スイッチの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288432
公開番号（公開出願番号）：特開2001-108950
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】多重量子井戸構造におけるサブバンド間吸収を十分大きくすることができ、光スイッチとしての動作の安定化及び確実化をはかる。【解決手段】サブバンド間遷移によって近赤外域で光吸収を起こす窒化物半導体の多重量子井戸構造を有するGaN導波路を形成した半導体光スイッチであって、導波路は、サファイア基板31上に、厚さ2μmのGaN層32,井戸数50の第1の多重量子井戸構造33,厚さ0.7μmのGaN層34,井戸数50の第2の多重量子井戸構造35,厚さ0.7μmのGaN層36,井戸数50の第3の多重量子井戸構造37,厚さ2μmのGaN層38を順次積層して構成されている。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、サブバンド間遷移によって近赤外域で光吸収を起こす窒化物半導体の多重量子井戸構造を有するGaN導波路を形成した半導体光スイッチであって、前記多重量子井戸構造は、前記GaN導波路内に複数個形成されていることを特徴とする半導体光スイッチ。

IPC (4件)：

G02F 1/017 503 , G02B 6/122 , G02B 6/12 , H01L 33/00

FI (4件)：

G02F 1/017 503 , H01L 33/00 C , G02B 6/12 A , G02B 6/12 N

Fターム (16件)：

2H047KA05 , 2H047NA04 , 2H047PA05 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA02 , 2H047QA07 , 2H047RA08 , 2H047TA44 , 2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079EA07

引用特許：

審査官引用 (8件)

光スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-205838 出願人：株式会社東芝
半導体量子井戸構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-140286 出願人：日本電信電話株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-045233 出願人：株式会社日立製作所

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