半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249740
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098004
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、高濃度拡散層形成に伴うシリコン基板の強度低下を抑え、良好な電気特性を示す半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】イオン注入後のドーパント活性化アニールの保持温度を2段階以上変化させ、かつ一回目のドーパント活性化アニールの温度を500°C以上750°C以下とし、少なくとも2回目以降の熱処理温度を800°C以上1100°C以下とする。

請求項（抜粋）：

次の工程を含む半導体装置の製造方法。(1)半導体基板の所望の位置にゲート酸化膜を介してゲート電極を形成する工程。(2)半導体基板の所望の位置にイオンを注入し、アモルファス状態のイオン注入層を形成する工程。(3)前記アモルファス状態のイオン注入層を形成した半導体基板を第1の温度でドーパント活性化アニールする工程。(4)前記アモルファス状態のイオン注入層を形成した半導体基板を第1の温度よりも高い第2の温度でドーパント活性化アニールする工程。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 A , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-045179
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-190270 出願人：ソニー株式会社
半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-216658 出願人：川崎製鉄株式会社

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