表示素子

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：後藤洋介 , 池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148353
公開番号（公開出願番号）：特開2004-355812
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】10V以下の低駆動電圧で高輝度を有する表示素子、特に、有機EL素子を提供することである。【解決手段】ITO膜にドープ材として、Hf、Zr、及び、Vをドープすることにより、低比抵抗で高透過率を備えたITO膜を表面層として成膜することにより、低駆動電圧で高輝度の有機EL素子が得られる。この場合、ドープ材はITO膜の表面層内に、離散的に、即ち、段階的にドープされても良いし、連続的に変化するようにドープされても良い。このような表面層を含むITO膜を用いることにより、発光層との間に配置される中間層の構成を簡略化でき、大画面の有機EL素子を容易に製造することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明導電性電極と当該透明導電性電極と対向する対向電極とを有する表示素子において、前記透明導電性電極は表面層としてHf、Zr、及びVの少なくとも1つを含む酸化インジウムスズ(ITO)膜を含んでいることを特徴とする表示素子。

IPC (4件)：

H05B33/28 , H01B13/00 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (4件)：

H05B33/28 , H01B13/00 503B , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (9件)：

3K007AB02 , 3K007AB05 , 3K007AB06 , 3K007AB18 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 5G323BA02 , 5G323BB05

引用特許：

審査官引用 (14件)

有機EL素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-230408 出願人：ティーディーケイ株式会社
特開平4-341707
特開平3-015107

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