特許
J-GLOBAL ID：200903024588382011

半導体メモリ装置及びその装置を具備したシステム

発明者：
金銀哲

金銀哲 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124539
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149553
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】データ出力ドライバを制御するための内部出力制御信号の伝送速度を改善し得る半導体メモリ装置【解決手段】外部からのデータを入力し内部出力制御信号に応じてデータを外部に出力する所定数のグループのデータ入出力ドライバ42と、以前のサイクルでリード命令が印加され、現在のサイクルでライト命令又は非選択命令が印加されると次のサイクルの第1状態のクロック信号に応じて第1状態の第1制御信号を発生し、以前のサイクルでライト命令又は非選択命令が印加され、現在のサイクルでリード命令が印加されると次のサイクルの第1状態のクロック信号に応じて第2状態の第2制御信号を発生する制御手段48と、前記第2制御信号の第2状態への遷移に応じて第1状態に遷移し、前記第1制御信号の第1状態への遷移に応じて第2状態に遷移する内部出力制御信号を発生してデータ入出力ドライバをグループ別に制御する所定数のレピータ44とを備える。
請求項（抜粋）：
外部からのデータを入力し内部出力制御信号に応じてデータを外部に出力する所定数のグループのデータ入出力ドライバと、外部からのクロック信号、リード/ライト制御信号、及びチップ選択制御信号を入力して、以前のサイクルでリード命令が印加され現在のサイクルでライト命令又は非選択命令が印加されると、次のサイクルの第1状態のクロック信号に応じて第1状態の第1制御信号を発生し、以前のサイクルでライト命令又は非選択命令が印加され現在のサイクルでリード命令が印加されると、次のサイクルの第1状態のクロック信号に応じて第2状態の第2制御信号を発生する制御手段と、前記制御手段からの前記第2制御信号の第2状態への遷移に応じて第1状態に遷移し、前記第1制御信号の第1状態への遷移に応じて第2状態に遷移する内部出力制御信号を発生して前記所定数のグループのデータ入出力ドライバをグループ別に制御する所定数のレピータと、を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/407 ,  G06F 13/16 510
FI (2件)：
G11C 11/34 362 S ,  G06F 13/16 510 E
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM