特許
J-GLOBAL ID：200903024591557680

記憶素子、メモリ

発明者：
肥後 豊

肥後 豊 について

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細見 政功

細見 政功 について

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大森 広之

大森 広之 について

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山元 哲也

山元 哲也 について

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山根 一陽

山根 一陽 について

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大石 雄紀

大石 雄紀 について

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鹿野 博司

鹿野 博司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-335016
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147522
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】スピンポンピング現象の発生を抑制することができると共に、充分な熱安定性を有する記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層32に、トンネル絶縁層16を介して磁化固定層31が設けられ、積層方向に電流を流してスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層32の磁化M1の向きが変化して、情報が記録される記憶素子3において、記憶層32の磁化固定層31とは反対側に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層18を設け、このスピンバリア層18の記憶層32とは反対側に、スピンポンピング現象を起こす非磁性金属層からなるスピン吸収層19を設け、スピンバリア層18を、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる1種以上の材料から構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、トンネル絶縁層を介して、磁化固定層が設けられ、 積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる記憶素子であって、 前記記憶層の前記磁化固定層とは反対側に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層が設けられ、 前記スピンバリア層の前記記憶層とは反対側に、スピンポンピング現象を起こす非磁性金属層からなるスピン吸収層が設けられ、 前記スピンバリア層が、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる1種以上の材料から構成されている ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (48件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119AA10 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF16 ,  4M119GG01 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA04 ,  5F092AA20 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BB53 ,  5F092BB90 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC22 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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