スピンメモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-106491
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281247
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】熱揺らぎ耐性を有する低消費電力、低電流書き込み及び高信頼性のスピンメモリを提供する。【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、第1及び第2導電線13、BLuと、第1導電線13の一端と第2導電線BLuとの間に配置される磁気抵抗効果素子MTJと、第1導電線13の他端に接続されるスイッチ素子SWと、第1及び第2導電線13,BLuを介して磁気抵抗効果素子MTJにスピントルクによる磁化反転のためのスピン注入電流Isを流すドライバ/シンカーとを備え、磁気抵抗効果素子MTJは、磁化方向が可変の磁気記録層と、磁化方向が固着される磁気固着層とを有し、磁気記録層の磁化容易軸と第1導電線13の長軸とのなす角度θは、0°<θ≦45°である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1及び第2導電線と、前記第1導電線の一端と前記第2導電線との間に配置される第1磁気抵抗効果素子と、前記第1導電線の他端に接続されるスイッチ素子と、前記第1及び第2導電線を介して前記第1磁気抵抗効果素子にスピントルクによる磁化反転のためのスピン注入電流を流すドライバ/シンカーとを具備し、前記第1磁気抵抗効果素子は、磁化方向が可変の磁気記録層と、磁化方向が固着される第1磁気固着層とを有し、前記磁気記録層の磁化容易軸と前記第1導電線の長軸とのなす角度θは、0°<θ≦45°であることを特徴とするスピンメモリ。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 29/82

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z

Fターム (52件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119CC05 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD46 , 4M119DD52 , 4M119EE03 , 4M119EE06 , 4M119EE13 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF06 , 4M119FF13 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119HH02 , 4M119HH05 , 4M119HH07 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB49 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC20 , 5F092BC22 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092EA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号

審査官引用 (11件)

磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-074460 出願人：株式会社東芝
磁気記憶素子、磁気記憶装置および携帯端末装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-095976 出願人：株式会社東芝
磁気記録素子の記録方法及び磁気記録素子アレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-089089 出願人：国立大学法人東北大学

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