特許
J-GLOBAL ID：200903024650072075
総合プロセスモジュレーション(IPM)HDP-CVDによるギャップ充填のための新規な解決法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-108385
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305981
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】 ギャップ充填性能が改善された、プロセスチャンバ内に配置された基板上に酸化シリコン膜を堆積させる方法が提供される。【解決手段】 ハロゲン源、フルーエントガス、シリコン源、酸化ガス反応種を含むプロセスガスがプロセスチャンバに流し込まれる。少なくとも1011イオン/cm3のイオン密度を有するプラズマがプロセスガスから形成される。酸化シリコン膜が、1.0%未満のハロゲン濃度で基板の上に堆積される。酸化シリコン膜は、同時堆積成分とスパッタリング成分を有するプロセスを用いてプラズマにより酸化シリコン膜が堆積される。プロセスチャンバへのシリコン源の流量に対するプロセスチャンバへのハロゲン源の流量は、実質的に0.5〜3.0である。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成された前金属堆積トレンチを充填する方法であって、
サイクルを実行するステップであって、
高密度CVDチャンバ内で該基板上に層を堆積させる工程であって、該基板が400°C未満に冷却されている前記工程と、
該チャンバ内で該基板上に堆積した該層の一部をエッチングする工程と、
を含む前記ステップと、
該層を堆積させる工程と該層の一部をエッチングする工程の該サイクルを所定数のサイクル繰り返すステップと、
を含む前記方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/316
, C23C 16/44
H01L21/76 L
, H01L21/316 X
, C23C16/44 A
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030DA01
, 4K030DA08
, 4K030FA01
, 4K030HA01
, 4K030HA14
, 4K030LA15
, 5F004AA15
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BD04
, 5F004CA06
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA03
, 5F004DA17
, 5F004DB03
, 5F004EA28
, 5F004EA38
, 5F004EB03
, 5F004EB05
, 5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA46
, 5F032AA67
, 5F032AA70
, 5F032AA77
, 5F032DA02
, 5F032DA04
, 5F032DA23
, 5F032DA25
, 5F032DA26
, 5F032DA33
, 5F032DA78
, 5F058BA09
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF07
, 5F058BF37
, 5F058BH12
, 5F058BH16
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
, 5F058BJ04
, 5F058BJ06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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