特許
J-GLOBAL ID：200903014449181910

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
綿谷 宏文

綿谷 宏文 について

, 
杉本 賢

杉本 賢 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-031317
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214278
出願日： 2006年02月08日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】STI構造において素子分離絶縁膜を、高密度プラズマCVD法を使って、引張り応力を蓄積するように形成する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に、素子分離溝を形成する工程と、前記半導体基板表面にシリコン酸化膜を、高密度プラズマCVD法により、前記シリコン酸化膜が前記素子分離溝を充填するように、また前記シリコン酸化膜中に水分が、前記シリコン酸化膜を脱水処理した場合、前記シリコン酸化膜に収縮が生じるような量で含まれるように堆積する工程と、前記シリコン酸化膜を脱水し、前記シリコン酸化膜に収縮を誘起する工程と、前記シリコン基板上に堆積したシリコン酸化膜を、前記半導体基板表面が露出するまで化学機械研磨により除去する工程とよりなる。【選択図】図9D
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に、素子分離溝を形成する工程と、 前記半導体基板表面にシリコン酸化膜を、高密度プラズマCVD法により、前記シリコン酸化膜が前記素子分離溝を充填するように、また前記シリコン酸化膜中に水分が、前記シリコン酸化膜を脱水処理した場合、前記シリコン酸化膜に収縮が生じるような量で含まれるように堆積する工程と、 前記シリコン酸化膜を脱水し、前記シリコン酸化膜に収縮を誘起する工程と、 前記シリコン基板上に堆積したシリコン酸化膜を、前記半導体基板表面が露出するまで化学機械研磨により除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L21/76 L ,  H01L29/78 301R ,  H01L21/316 X
Fターム (37件)：
5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA41 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ06 ,  5F140AA05 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM