バリア膜製造方法、及びバリア膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235963
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜24を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜24を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

化学構造中に高融点金属を有する原料ガスと、窒素原子を有する含窒素還元ガスとを真空雰囲気中に導入し前記真空雰囲気中に置かれた基板上に前記高融点金属の窒化物薄膜を形成するバリア膜製造方法であって、前記真空雰囲気中に、窒素原子を有さない補助還元ガスを導入することを特徴とするバリア膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 R

Fターム (36件)：

4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD45 , 4M104DD64 , 4M104DD75 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033KK01 , 5F033LL10 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ96 , 5F033RR04 , 5F033TT01 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033XX02 , 5F033XX10 , 5F033XX28 , 5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337496 出願人：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-357185 出願人：株式会社東芝
シリコン含有ソースガスを用いる窒化タングステン付着方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-519053 出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド

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