磁気抵抗効果膜、その製造方法およびそれを用いたメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369769
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174214
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】垂直磁化を示す磁性体を用いた磁気抵抗効果膜でにおいて、磁化反転に要する外部印加磁界の大きさが磁化反転方向によって異なる現象を軽減する。【解決手段】垂直磁化を示す第1の磁性体111と、非磁性導体膜114と、垂直磁化を示す第2の磁性体112と、非磁性誘電体膜115と、垂直磁化を示す第3の磁性体113とをこの順で積層するとともに、第1の磁性体111の磁化と第3の磁性体113の磁化とが相互に反平行であり、第1の磁性体111及び第3の磁性体113に比べ第2の磁性体112は相対的に小さな磁化反転磁界を有するようにし、第1の磁性体111から第2の磁性体112に働く静磁結合力と、第3の磁性体113から第2の磁性体112に働く静磁結合力が逆向きでほぼ同じ大きさとなるようにする。

請求項（抜粋）：

垂直磁化を示す第1の磁性体と、非磁性導体膜と、垂直磁化を示す第2の磁性体と、非磁性誘電体膜と、垂直磁化を示す第3の磁性体とがこの順で積層した構造を有し、前記第1の磁性体の磁化と前記第3の磁性体の磁化とが相互に反平行であり、前記第1の磁性体及び前記第3の磁性体に比べ前記第2の磁性体は相対的に小さな磁化反転磁界を有することを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (9件)：

H01L 43/08 Z , G11C 11/14 A , G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447 , G01R 33/06 R

Fターム (11件)：

2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5E049AA04 , 5E049BA08 , 5E049CB02 , 5E049DB14 , 5F083FZ10 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (5件)

対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-019744 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090715 出願人：株式会社日立製作所
磁気トンネル接合素子及びその製造方法、並びに磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-314291 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る