特許
J-GLOBAL ID：200903025057068092
マスクデータ補正方法と半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-038034
公開番号（公開出願番号）：特開2005-227666
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 OPC処理によりマスクパターンを精度良く補正することができ、且つ不要なデータ処理時間及びデータ量の増大を抑える。【解決手段】 被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、フォトマスクのパターン形状に対してモデルベースの近接効果補正を行った後、フォトマスクのパターン形状から感光性材料膜パターン或いはこれを用いて加工される被加工膜パターンの予測形状を算出し、算出された予測形状と所望形状との誤差を算出し、次いで予め設定された注目箇所に対して算出された誤差に基づき、ルールベースの近接効果補正を行ってフォトマスクのパターン形状をさらに補正する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
被処理基板上の感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜のパターンとして所望の形状,寸法を得るために、フォトマスクのパターン形状に対して近接効果補正処理を施すマスクデータ補正方法であって、
前記フォトマスクのパターン形状に対してモデルベースの近接効果補正を行う工程と、
前記モデルベースの近接効果補正後のフォトマスクのパターン形状から、前記感光性材料膜或いはこれを用いて加工される被加工膜におけるパターンの予測形状を算出する工程と、
前記算出された予測形状と所望形状との誤差を算出する工程と、
予め設定された注目箇所に対して前記算出された誤差に基づき、ルールベースの近接効果補正を行って前記フォトマスクのパターン形状をさらに補正する工程と、
を含むことを特徴とするマスクデータ補正方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G06F17/50
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G06F17/50 658M
, H01L21/30 502P
2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC09
, 5B046AA08
, 5B046BA06
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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