高蒸着速度スパッタリング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-551595
公開番号（公開出願番号）：特表2006-506521
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

高蒸着スパッタリングのための方法および装置が記載されている。スパッタリング源は、アノードと、アノードに隣接して配置されたカソードアセンブリとを備える。カソードアセンブリは、スパッタリングターゲットを備える。電離源は、アノードおよびカソードアセンブリの近傍に弱電離プラズマを発生させる。電源はアノードとカソードアセンブリとの間に電場を形成させ、電場は弱電離プラズマから強電離プラズマを創り出す。強電離プラズマは第一の複数のイオンを含み、第一の複数のイオンはスパッタリングターゲットに衝突してスパッタリングターゲット中に十分な熱エネルギーを発生させ、スパッタリングターゲットのスパッタ率をスパッタリングターゲットの温度に非線形に関連させる。

請求項（抜粋）：

スパッタリング源であって、以下: アノードに隣接して配置されたカソードアセンブリであって、該カソードアセンブリは、スパッタリングターゲットを備える、カソードアセンブリ; アノードおよび該カソードアセンブリの近傍に弱電離プラズマを発生させる電離源;および該アノードと該カソードアセンブリとの間に電場を形成させる電源であって、該電場は該弱電離プラズマから強電離プラズマを創り出し、該強電離プラズマは、該スパッタリングターゲットに衝突し、それによって該スパッタリングターゲットのスパッタ率を該スパッタリングターゲットの温度に非線形に関連させるのに十分な熱エネルギーを該スパッタリングターゲット中に発生させる第一の複数のイオンを含む、電源を含む、スパッタリング源。

IPC (4件)：

C23C 14/44 , C23C 14/34 , H05H 1/24 , H05H 1/46

FI (4件)：

C23C14/44 , C23C14/34 T , H05H1/24 , H05H1/46 M

Fターム (6件)：

4K029CA05 , 4K029DC29 , 4K029DC34 , 4K029DC40 , 4K029EA06 , 4K029EA09

引用特許：

審査官引用 (7件)

スパッタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-225775 出願人：アネルバ株式会社
特開昭62-216637
成膜装置および成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-096932 出願人：ソニー株式会社

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