特許
J-GLOBAL ID：200903025117830657

半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法

発明者：
宮本 宣明

宮本 宣明 について

, 
珍田 聡

珍田 聡 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307094
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120858
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】ビアフィリング銅めっき液の状態(組成、劣化度)変動にともなう、ブラインドビアホールの銅めっき充填性の変動をいち早く検知し、製品品質(銅めっき充填性)の安定化を図るとともに、銅めっき液の早急な補正を行なうことが可能な半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】ブラインドビアホールとして、製品パターンにおける両銅箔層22を電気的に導通させるための第1のブラインドビアホール25Aの他に、テープキャリアが連続的に製造される際の銅めっき層27による充填率の変動を間接的に早期に把握するための、前記第1のブラインドビアホールの直径よりも大きい直径を有する第2のブラインドビアホール25Bを設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
両面に銅箔層を有する絶縁性フィルムの片面より銅箔層及び絶縁性フィルム部を貫いて他面側の銅箔層に達するブラインドビアホールを作製し、このブラインドビアホールに導通化処理層を形成すると共にその導通化処理層上に銅めっき層を形成してブラインドビアホールを充填し、これにより両面の銅箔層を電気的に導通化した半導体装置用両面配線テープキャリアにおいて、 前記ブラインドビアホールは、製品パターンにおける両銅箔層を電気的に導通させるための第1のブラインドビアホールと、テープキャリアが連続的に製造される際の前記銅めっき層による充填率の変動を把握するための、前記第1のブラインドビアホールの直径よりも大きい直径を有する第2のブラインドビアホールとからなることを特徴とする半導体装置用両面配線テープキャリア。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40
FI (3件)：
H01L21/60 311W ,  H05K1/11 N ,  H05K3/40 K
Fターム (17件)：
5E317AA24 ,  5E317BB03 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC38 ,  5E317CC52 ,  5E317CD12 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD29 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01 ,  5E317GG16 ,  5F044MM04 ,  5F044MM48
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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