銅配線基板およびその製造方法ならびに液晶表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363432
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176878
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】配線表面の平坦性を向上させることにより上層膜の絶縁特性を向上させることができる銅配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の銅配線基板の製造方法は、基板上にゲート電極3およびゲート線19(銅配線)を形成する工程と、基板をアンモニアガス雰囲気またはアンモニアガスプラズマに曝すことにより銅配線の表面を窒化処理して銅窒化層4を形成する工程と、銅窒化層4の表面にシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜5(シリコン系絶縁膜)を形成する工程とを有している。窒化処理に代えて還元処理を行ってもよい。もしくは、銅配線の表面にシリコン原子含有比率の小さいシリコン系絶縁膜を形成してもよい。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性である基板上に設けられた銅配線と、該銅配線の表面に設けられた銅窒化層と、該銅窒化層の表面に設けられたシリコン系絶縁膜とを有することを特徴とする銅配線基板。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , G02F 1/1343 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4件)：

G02F 1/1343 , H01L 21/31 C , H01L 21/88 M , H01L 21/90 C

Fターム (72件)：

2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA22 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA11 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033HH38 , 5F033JJ38 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK17 , 5F033KK20 , 5F033KK32 , 5F033QQ00 , 5F033QQ73 , 5F033QQ78 , 5F033QQ90 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR20 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW10 , 5F033XX00 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045AF08 , 5F045BB19 , 5F045CA15 , 5F045CB04 , 5F045CB10 , 5F045DC51

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-004214
薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308006 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-165931 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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