特許
J-GLOBAL ID：200903025194149040
III族窒化物結晶の製造方法およびIII族窒化物結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-050256
公開番号（公開出願番号）：特開2007-223878
出願日： 2006年02月27日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】低転位密度のIII族窒化物結晶を得ることができるIII族窒化物結晶の製造方法およびその方法により得られるIII族窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】石英反応管の内部における、ハロゲン化ガリウムガス、ハロゲン化インジウムガスおよびハロゲン化アルミニウムガスからなる群から選択された少なくとも1種のガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって、下地基板の表面上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、III族窒化物結晶の成長中に下地基板の温度を変化させるIII族窒化物結晶の製造方法とその方法により得られるIII族窒化物結晶基板である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
石英反応管の内部における、ハロゲン化ガリウムガス、ハロゲン化インジウムガスおよびハロゲン化アルミニウムガスからなる群から選択された少なくとも1種のガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって、下地基板の表面上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、III族窒化物結晶の成長中に下地基板の温度を変化させることを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB03
, 4G077TC06
, 4G077TJ03
, 4G077TK01
, 4G077TK11
, 5F045AA02
, 5F045AB14
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AD16
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045DA52
