特許

J-GLOBAL ID：200903025226146405

スパッタリングターゲット、並びに接合型スパッタリングターゲット及びその作製方法

発明者： 新田 純一 ,  伊藤 隆治 ,  松本 博 ,  伊藤 学
出願人/特許権者： アルバックマテリアル株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-124829
公開番号（公開出願番号）：特開2007-297654
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】Au、Cuなどの金属又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金からなる膜と密着性がよく、また、耐食性があって、異常放電が少ない膜を形成できるとともに、大型基板に成膜可能なスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】基板上にMo-Ti合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、Tiを50原子%より高く、60原子%以下含有し、残部Mo及び不可避的不純物からなり、相対密度が98%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット、並びにこれを2以上拡散接合した少なくともその一辺が1000mm以上である接合型スパッタリングターゲット及び接合型スパッタリングターゲットの作製方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にMo-Ti合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、Tiを50原子%より高く、60原子%以下含有し、残部Mo及び不可避的不純物からなり、相対密度が98%以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C22C 14/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

C23C14/34 A ,  C22C14/00 Z ,  H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R

Fターム (13件)：

4K029AA02 ,  4K029BA21 ,  4K029BC01 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC09 ,  4K029DC39 ,  4M104BB14 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-272745   出願人：日立金属株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-170285   出願人：ヤマハ株式会社
• スパッタリングターゲットとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-334898   出願人：株式会社東芝
• IrMn系合金成膜用ターゲット、その製造方法およびそれを用いた反強磁性膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-051669   出願人：日立金属株式会社
• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-272745   出願人：日立金属株式会社
• 構造体、電子放出素子、2次電池、電子源、画像表示装置、情報表示再生装置及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-299769   出願人：キヤノン株式会社