特許
J-GLOBAL ID：200903025238614579
CZ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたFZ単結晶シリコンの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-146240
公開番号（公開出願番号）：特開2007-314374
出願日： 2006年05月26日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】FZ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、FZ法で使用する高価な多結晶シリコン原料棒の代わりに高品質で安定した供給が得られる原料であるCZ法により製造された抵抗率が50Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒1をシリコン原料棒1として、シリコン原料棒1にシリコン原料棒1と同一導電型の不純物をガスドープすることにより、シリコン原料棒1を所望の抵抗率のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が50Ω・cm以上のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒にシリコン原料棒と同一導電型の不純物をガスドープすることにより、前記シリコン原料棒を所望の抵抗率のP型またはN型のシリコン単結晶に再結晶化させることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 501A
, C30B13/12
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077EB04
, 4G077EC02
, 4G077FD01
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077NA05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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