特許
J-GLOBAL ID:200903025332352650

基板とその表面に積層された積層体から構成された被加工物の分割方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-298424
公開番号(公開出願番号):特開2005-072174
出願日: 2003年08月22日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 基板(4)とこの基板の表面に積層された積層体(6)から構成された、半導体ウエーハ(2)の如き被加工物を分割する分割方法を改良して、回転切断手段(26)による切断に先立って、レーザ光線(16)を積層体に作用せしめることによって、回路を損傷せしめることなく、分割ライン(10)の幅W1と実質上同一或いはこれより小さいが回転切断手段による切断幅W2よりも大きい幅W3で分割ラインに沿って積層体を除去することができるようにせしめる。【解決手段】 ガウシアン強度分布ではなくてトップハット強度分布を有するレーザ光線を積層体に作用せしめる。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
基板と該基板上に積層された積層体とから構成され且つ表面には分割ラインが規定されている被加工物を、該分割ラインに沿って分割する分割方法にして、該積層体にレーザ光線を作用せしめて、該分割ラインに沿って該積層体を除去する積層体除去工程と、該積層体除去工程の後に該基板に回転切断手段を作用せしめて、該基板を該分割ラインに沿って切断する切断工程とを含む分割方法において、 該積層体除去工程において該積層体に作用せしめる該レーザ光線はトップハット強度分布を有する、ことを特徴とする分割方法。
IPC (2件):
H01L21/301 ,  B23K26/00
FI (3件):
H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  H01L21/78 B
Fターム (7件):
4E068AA03 ,  4E068AD01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA09 ,  4E068CD05 ,  4E068CD10 ,  4E068DA10
引用特許:
審査官引用 (5件)
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