感放射線性レジスト製造用重合体及びこれを含有するレジスト組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：児玉喜博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202429
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109525
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ArFエキシマーレーザー光に対する感度特性、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性及びエキシマーレーザー光に対する透明性に優れ、解像度及び現像性などでも卓越した感放射線性レジスト組成物の提供。【解決手段】次の一般式(I)で表示され、ポリスチレン標準換算平均分子量(Mw)が3,000〜50,000であり、分子量分布(Mw/Mn)が1.0〜2.0である多元共重合体。Xは次の一般式(II)、(III)から選択された側鎖に酸解離性作用基を含むノルボルネン誘導体であり、Yは次の一般式(IV)で表示される側鎖にカルボン酸を含むノルボルネン誘導体である。

請求項（抜粋）：

次の一般式(I)で表示され、ポリスチレン標準換算平均分子量(Mw)が3,000〜50,000であり、分子量分布(Mw/Mn)が1.0〜2.0である多元共重合体。【化1】前記式において、Xは次の一般式(II)、(III)から選択された側鎖に酸解離性作用基を含むノルボルネン誘導体であり、Yは次の一般式(IV)で表示される側鎖にカルボン酸を含むノルボルネン誘導体である。【化2】【化3】【化4】前記式において、R1はt-ブチルオキシカルボニル基、アセチル基、シクロヘキサンカルボニル基、アダマンタンカルボニル基、バイシクロ[2,2,1]ヘプタンメチルカルボニル基など、C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル基、環状又は多重環状アルキル基、アルキルカルボニル基、側鎖アルキルカルボニル基、環状又は多重環状アルキルカルボニル基を示す。また、R2は水素、C1〜C10の直鎖アルキルオキシカルボニル基、側鎖アルキルオキシカルボニル基、アルコキシアルキルカルボニル基、環状アルキルオキシカルボニル基、多重環状アルキルオキシカルボニル基などを示し、それぞれ独立的である。R3はメチル基、エチル基、t-ブチル基、iso-プロピル基、アダマンチル基、バイシクロ[2,2,1]ヘプタンメチル基など、C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル基、環状又は多重環状アルキル基である。l+m+n+oは1であり、oの含有比は0.4〜0.6であり、1、m、nの含有比はそれぞれ0.5以下である。

IPC (5件)：

C08F222/06 , C08F232/08 , C08G 63/54 , C08L 35/02 , G03F 7/039 601

FI (5件)：

C08F222/06 , C08F232/08 , C08G 63/54 , C08L 35/02 , G03F 7/039 601

引用特許：

審査官引用 (5件)

感光膜共重合体、感光膜共重合体の製造方法、感光膜、感光膜の製造方法、単量体の合成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-368957 出願人：現代電子産業株式会社
化学増幅型のレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-094644 出願人：三星電子株式会社
化合物とその製造方泡共重合体樹脂とその製造方泡フォトレジスト用共重合体樹脂とその製造方泡フォトレジスト組成物とその製造方法、フォトレジストパタ-ン形成方泡及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374661 出願人：現代電子産業株式会社

全件表示

前のページに戻る