特許
J-GLOBAL ID：200903025372029046

薄膜半導体装置およびICカードの製造方法

発明者：
田舎中 博士

田舎中 博士 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234479
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312349
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 薄膜単結晶による薄膜半導体装置およびICカードを容易、確実、量産的に、低コストで製造でき、さらにフレキシブルに構成することもできるようにする。【解決手段】 半導体基体11の表面を多孔質層に変化させる工程と、この多孔質層12に半導体膜13を形成する工程と、この半導体膜13上に回路素子もしくは集積回路を形成する工程と、この回路素子もしくは集積回路を形成した半導体膜13を多孔質層12を介して半導体基体11から剥離する工程と採って目的とする薄膜半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
半導体基体表面を多孔質層に変化させる工程と、該多孔質層に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜上に回路素子もしくは集積回路を形成する工程と、該回路素子もしくは集積回路を形成した半導体膜を上記多孔質層を介して上記半導体基体から剥離する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  B42D 15/10 521 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316
FI (8件)：
H01L 27/08 321 M ,  B42D 15/10 521 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/06 504 E ,  H01L 21/316 T ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 626 C
引用特許：
審査官引用 (7件)
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