特許
J-GLOBAL ID:200903025426311460
マスクブランクス用ガラス基板およびその研磨方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
泉名 謙治
, 小川 利春
, 山本 量三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-344896
公開番号(公開出願番号):特開2007-213020
出願日: 2006年12月21日
公開日(公表日): 2007年08月23日
要約:
【課題】EUVL用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。【解決手段】主表面が研磨されている、SiO2を主成分とするガラス基板であって、前記主表面の凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが2nm以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が60nm以下であるマスクブランクス用ガラス基板。平均一次粒子径が60nm以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、pHが0.5〜4の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ガラス基板をナップ層の圧縮率が10%以上、圧縮弾性率が85%以上である研磨パッドで研磨する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
主表面が研磨されている、SiO2を主成分とするガラス基板であって、このガラス基板を用いて露光用マスクを製作して使用したとき、前記主表面の凹状欠点および/または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが2nm以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が60nm以下であることを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板。
IPC (5件):
G03F 1/08
, B24B 37/00
, C09K 3/14
, C03C 19/00
, H01L 21/027
FI (6件):
G03F1/08 A
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
, C03C19/00 Z
, H01L21/30 531M
Fターム (9件):
2H095BA07
, 2H095BA10
, 2H095BB01
, 3C058DA02
, 4G059AA11
, 4G059AB03
, 4G059AC03
, 5F046GD10
, 5F046GD20
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)