特許
J-GLOBAL ID：200903025443415627

リソグラフィ用反射防止ハードマスク組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法

発明者：
カテリナ・バビーシュ

カテリナ・バビーシュ について

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アーパン・ピー・マホロワラ

アーパン・ピー・マホロワラ について

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デヴィッド・アール・メデイロス

デヴィッド・アール・メデイロス について

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ディルク・パイファ

ディルク・パイファ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-223337
公開番号（公開出願番号）：特開2005-055893
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】半導体デバイスを加工するための組成物および技術を提供すること、より詳細には、本発明の一態様で反射防止ハードマスク組成物を提供し、本発明の別の態様で半導体デバイスの加工方法を提供する。【解決手段】本発明の組成物は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、{RSiO1.5}n(但し、nは8である)と、少なくとも1つの発色団部分および透明部分とを含む。本発明の方法は、基板上に材料層を設けるステップと、この材料層の上に反射防止ハードマスク層を形成するステップとを含む。この反射防止ハードマスク層は、完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、{RSiO1.5}n(但し、nは8である)と、少なくとも1つの発色団部分および透明部分とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン、{RSiO1.5}n(但し、nは8である)と、 少なくとも1つの発色団部分および透明部分と を含む反射防止ハードマスク組成物。
IPC (5件)：
G03F7/11 ,  G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312
FI (5件)：
G03F7/11 503 ,  G03F1/14 F ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/30 502P
Fターム (19件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  2H095BB03 ,  2H095BC14 ,  2H097LA10 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04
引用特許：
出願人引用 (23件)
  • 米国特許第4,371,605号
  • 米国特許第5,562,801号
  • 米国特許第5,618,751号
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審査官引用 (6件)
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