特許
J-GLOBAL ID：200903094213923390
反射防止ハードマスク組成物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174636
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053068
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 反射防止ハードマスク組成物を提供する。【解決手段】 (a)基体上に誘電体層を有する集積回路基体を提供し;(b)誘電体層の上に、周期表のIIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb、IIIb、IVbまたはVb族から選択される1以上の無機元素を含む有機反射防止ハードマスク組成物の被覆層を堆積し;(c)反射防止ハードマスク組成物の被覆層の上にフォトレジスト組成物の被覆層を堆積し;(d)フォトレジスト組成物の被覆層をパターン付けされた放射線で露光し、現像し、反射防止ハードマスク組成物の上にフォトレジストレリーフイメージを形成し;(e)反射防止ハードマスク組成物をエッチングし、該組成物のレリーフイメージを形成し;さらに(f)露出した誘電体層領域をエッチングすることを含む、集積回路またはエレクトロニックパッケージング基板の上に位置する誘電体層をエッチングする方法が開示される。
請求項（抜粋）：
(a)基体上に誘電体層を有する集積回路基体を提供し;(b)誘電体層の上に、周期表のIIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb、IIIb、IVbまたはVb族から選択される1以上の無機元素を含む有機反射防止ハードマスク組成物の被覆層を堆積し;(c)反射防止ハードマスク組成物の被覆層の上にフォトレジスト組成物の被覆層を堆積し;(d)フォトレジスト組成物の被覆層をパターン付けされた放射線で露光し、現像し、反射防止ハードマスク組成物の上にフォトレジストレリーフイメージを形成し;(e)反射防止ハードマスク組成物をエッチングし、該組成物のレリーフイメージを形成し;さらに(f)露出した誘電体層領域をエッチングすることを含む、集積回路またはエレクトロニックパッケージング基板の上に位置する誘電体層をエッチングする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 J
, H01L 21/30 574
