特許
J-GLOBAL ID:200903025565375529
薄膜圧電素子及び薄膜圧電素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-007850
公開番号(公開出願番号):特開2005-244184
出願日: 2005年01月14日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】圧電膜の電気機械結合係数の向上が可能な薄膜圧電素子を提供する。【解決手段】基板11上の非晶質金属膜22と、非晶質金属膜22の上で、非晶質金属膜22表面に垂直な方向に配向した圧電膜15とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上の非晶質金属膜と、
前記非晶質金属膜の上で、前記非晶質金属膜表面に垂直な方向に配向した圧電膜
とを備えることを特徴とする薄膜圧電素子。
IPC (6件):
H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/22
, H01L41/24
, H03H3/02
, H03H9/17
FI (6件):
H01L41/08 L
, H03H3/02 B
, H03H9/17 F
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H01L41/22 A
Fターム (7件):
5J108AA07
, 5J108BB07
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108KK01
, 5J108KK02
, 5J108MM11
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
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