半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160084
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329343
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】電荷蓄積層とコントロールゲート電極との間の絶縁膜のリーク特性を改善することによって、電荷保持特性の優れた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の1態様による半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた第2の電極と、前記第1及び第2の電極を挟んで前記半導体基板中に設けられた拡散層とを具備し、前記第2の絶縁膜は、化学量論的組成よりもシリコンを過剰に含むシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜とを含み、前記シリコン窒化膜は、シリコン濃度に対する窒素濃度の比が0.9以上1.2以下(SiNx:0.9≦x≦1.2)である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた第2の電極と、前記第1及び第2の電極を挟んで前記半導体基板中に設けられた拡散層とを具備し、前記第2の絶縁膜は、化学量論的組成よりもシリコンを過剰に含むシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜とを含み、前記シリコン窒化膜は、シリコン濃度に対する窒素濃度の比が、0.9以上1.2以下(SiNx:0.9≦x≦1.2)であることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (19件)：

5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083ER02 , 5F083ER22 , 5F083GA06 , 5F083JA19 , 5F083PR21 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BD34 , 5F101BE07 , 5F101BH02

引用特許：

出願人引用 (11件)

不揮発性半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-112465 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016395 出願人：株式会社日立製作所
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-350232 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-350232 出願人：株式会社東芝
特開平4-320378
特開平1-170049

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