特許
J-GLOBAL ID:200903025654199858
電子基板、半導体装置および電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-057673
公開番号(公開出願番号):特開2007-235035
出願日: 2006年03月03日
公開日(公表日): 2007年09月13日
要約:
【課題】伝送効率の低下を防止することが可能な電子基板1を提供する。【解決手段】基体10の能動面側に、相互にインダクタンス値または適用可能周波数のる第1インダクタ素子80および第2インダクタ素子40が形成されている。また基体10の能動面側にも、相互にインダクタンス値または適用可能周波数の異なる第1インダクタ素子85および第2インダクタ素子45が形成されている。第1インダクタ素子80,85は外部との電力伝送に使用され、第2インダクタ素子40,45は外部との通信に使用される。この電子基板1を積層すれば、電磁シールド性を有する基体10を介して電磁波を送受信する必要がなく、伝送効率の低下を防止することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基体の能動面側および前記能動面の裏面側に、それぞれインダクタ素子が形成され、
前記基体の前記裏面側に形成された前記インダクタ素子は、前記基体を貫通する導電部材を介して前記能動面側に電気的接続されていることを特徴とする電子基板。
IPC (6件):
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 23/52
, H01L 21/320
, G06K 19/07
, G06K 19/077
FI (5件):
H01L27/04 L
, H01L21/88 T
, H01L27/04 A
, G06K19/00 H
, G06K19/00 K
Fターム (44件):
5B035AA07
, 5B035BA05
, 5B035BB09
, 5B035CA02
, 5B035CA08
, 5B035CA23
, 5F033HH11
, 5F033HH23
, 5F033HH33
, 5F033JJ11
, 5F033JJ23
, 5F033JJ33
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK13
, 5F033KK14
, 5F033KK17
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK23
, 5F033KK33
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033MM30
, 5F033NN05
, 5F033NN07
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ46
, 5F033TT07
, 5F033VV08
, 5F038AZ05
, 5F038BE07
, 5F038BG00
, 5F038CA09
, 5F038CA10
, 5F038CA12
, 5F038CA16
, 5F038CD18
, 5F038EZ04
, 5F038EZ07
, 5F038EZ11
, 5F038EZ20
引用特許: