特許
J-GLOBAL ID:200903025703504912

金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-027245
公開番号(公開出願番号):特開2008-192930
出願日: 2007年02月06日
公開日(公表日): 2008年08月21日
要約:
【課題】ディッシングや配線の欠陥及びデバイス表面へのパーティクルの残留を抑制しうる金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。【解決手段】半導体デバイスの化学的機械的研磨に用いられる金属研磨用組成物であって、(a)下記一般式Aで表される化合物、(b)下記一般式Bで表される化合物、(c)砥粒、及び、(d)酸化剤を含有することを特徴とする金属研磨用組成物である。下記一般式A中、R1は炭素数1〜3のアルキル基を示し、R2は、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を示す。また、一般式B中、R3、R4、R5はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アミノ基、ヒドロキシ基などを表す。【選択図】なし
請求項(抜粋):
半導体デバイスの化学的機械的研磨に用いられる金属研磨用組成物であって、 (a)下記一般式Aで表される化合物、(b)下記一般式Bで表される化合物、(c)砥粒、及び、(d)酸化剤を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (4件):
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550C
Fターム (6件):
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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