III-V族化合物半導体単結晶基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-014587
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203071
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】従来の標準仕様に比べて薄くても周縁断面形状を適切に選ぶことによって割れや欠けの危険性が低減されたIII-V族化合物半導体単結晶基板を提供する。【解決手段】直径D(mm)と厚さt(mm)を有するIII-V族化合物半導体単結晶基板は、(1/1000)D+0.2(mm)≦t≦(1/1000)D+0.4(mm)の関係を満たし、かつ基板の周縁に直交する断面において、表外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rf(mm)と裏外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rb(mm)とのいずれもが0.08(mm)≦(Rf,Rb)≦0.4t(mm)の関係を満たすことを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直径D(mm)と厚さt(mm)を有するIII-V族化合物半導体単結晶基板であって、 (1/1000)D+0.2(mm)≦t≦(1/1000)D+0.4(mm)の関係を満たし、かつ前記基板の周縁に直交する断面において、表外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rf(mm)と裏外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rb(mm)とのいずれもが 0.08(mm)≦(Rf,Rb)≦0.4t(mm) の関係を満たすことを特徴とするIII-V族化合物半導体単結晶基板。

IPC (1件)：

H01L 21/02

FI (1件)：

H01L21/02 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第3368799号公報
半導体基板の製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-008565 出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (5件)

III-V族化合物半導体ウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-297082 出願人：住友電気工業株式会社
半導体ウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-191496 出願人：日立電線株式会社
III-V族化合物半導体ウェハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132033 出願人：住友電気工業株式会社

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